广东
清溢光电拟不超15亿元扩建高端半导体掩膜版产能。
11月9日晚间，清溢光电（688138）公告，控股子公司佛山清溢微电子有限公司拟在现有高端半导体掩膜版生产基地建设项目一、二期基础上投资建设三期项目，计划总投资额不超过15亿元，主要产品为覆盖28nm—14nm制程的高端半导体掩膜版。
根据公告，三期项目将在佛山清溢微现有厂房基础上改造并引入新设备、扩建生产线，建设期36个月，预计2026年12月开工；资金来源为佛山清溢微自有或自筹资金，不涉及募集资金。
此前，2023年8月，公司宣布拟在佛山市南海区投资35亿元建设佛山生产基地，其中高端半导体掩膜版项目分三期、合计拟投资15亿元，一期6.05亿元、二期2.95亿元、三期6亿元。目前一期已顺利投产，二期正稳步推进。
清溢光电表示，本项目定位为面向国内先进制程晶圆制造环节的高端半导体掩膜版本土化配套产能，聚焦28nm—14nm节点产品供给。公司称，当前国内先进制程掩膜版国产化率偏低，供给较多依赖境外厂商，存在交付周期、价格、合规保供等风险；公司已实现55nm掩膜版制程节点技术突破，向28nm—14nm节点迭代具备技术连贯性。
业绩方面，清溢光电正处于新产能爬坡阶段。2026年前三季度，公司实现营业收入9.74亿元，同比增长4.90%；归母净利润1.60亿元，同比增长11.02%。但第三季度单季归母净利润4163.84万元，同比下降19.47%，利润端有所承压。
掩膜版是光刻工艺中连接芯片设计与制造的核心耗材，被业内称为“芯片底片”，其质量直接决定芯片制程精度与良率。
展望后市，在AI算力、高性能计算需求拉动下，国内晶圆制造制程持续向先进节点发展，叠加国产替代政策推动，28nm—14nm等节点掩膜版本土供给缺口为第三方掩膜厂商提供了明确成长空间。
不过公司也在公告中提示，项目尚需履行审批手续，实施可能存在顺延、变更、中止甚至终止的风险；资金投入较大，资金筹措存在不确定性；亦可能存在产能过剩及收益不达预期的风险。
责编：陈丽湘
校对：冉燕青
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