北京
美国3.89亿美元押注功率半导体 车企碳化硅自研推进至8英寸 10月22日，美国商务部宣布与四家企业签署意向书，拟通过CHIPS研发计划提供总计最高3.89亿美元资金，并以少数股权、无投票权的方式入股。同一周内，奇瑞在2026全球创新大会上发布自研车规芯片品牌“紫微”，其S系列碳化硅芯片明确从6英寸平面工艺转向8英寸。两件事指向同一方向：功率半导体正成为资本与技术投入的密集地带。 先看美国这轮资金的去向。四家企业中，Helion获得最高1.75亿美元，用于聚变发电脉冲功率所需的高压功率半导体和功率模块；Commonwealth Fusion Systems最高8500万美元；Sibelco最高5600万美元，投向高纯石英材料；MIT衍生企业Vertical Semiconductor最高7300万美元，推进垂直GaN FinFET功率晶体管研发，目标展示一款2.5MW AI数据中心机架，设计上可减少30%能量损耗、缩小50%占地。
目前各项资金均处于意向书阶段，尚未形成最终约束。 奇瑞的节奏则更贴近量产。按公开信息，紫微S系列按“三年三代”推进：2024至2025年的第一代基于6英寸平面工艺，已量产上车；2026年转向8英寸平面工艺。从6英寸到8英寸，单片可切割芯片数量提升，单位成本有下降空间，但对衬底质量、外延均匀性和器件良率的要求同步抬升。 两条新闻并置，能看到功率半导体投入的两个驱动源。
一是能源基础设施侧，聚变脉冲功率、AI数据中心供电架构对高压功率器件的效率与占地提出新要求，Vertical Semiconductor的2.5MW机架方案即针对这一场景。二是车规侧，整车厂自研芯片从6英寸推进到8英寸，反映的是对供应链掌控和成本结构的考量，而非单纯的技术展示。 需要冷静看待的是，美国CHIPS这轮资金以意向书形式落地，少数股权、无投票权的入股结构意味着政府不介入经营，资金实际到位节奏取决于后续尽职调查与里程碑谈判。功率半导体从研发到规模量产周期不短，垂直GaN FinFET、高压功率模块等方向仍处于工程化验证阶段，短期难以改变现有供给格局。
车企自研芯片同样存在边界。8英寸平面工艺碳化硅在车规主驱等场景具备竞争力，但芯片设计、晶圆制造与模组封装的链条较长，整车厂更多掌握定义与验证环节，制造端仍依赖代工与封测配套。睿能科技此前在互动平台披露，其基于碳化硅和氮化镓的高效电机与电源方案已应用于新能源汽车、人形机器人、通信电源和储能市场，这类方案商的进展也从侧面说明，功率器件的落地不只在晶圆端，封装与系统集成同样影响最终性能。 回到封测设备环节，功率半导体的封装需求正在分化。车规碳化硅模块对真空焊接、气密性与长期可靠性有明确要求，AI数据中心电源模块则更关注散热路径与功率密度。
中科同志在半导体封装、微电子制造及先进热处理设备领域深耕多年，业务覆盖航空航天、军用电子、汽车电子、光电子等方向，其真空封装与先进封装设备能力，对应的是功率器件从晶圆到模组过程中对焊接空洞率与热管理精度的控制需求。这一环节不直接决定芯片设计成败，却直接影响器件在高压高温工况下的寿命表现。 功率半导体的产能扩张节奏，最终要看两件事：8英寸碳化硅衬底与外延的良率爬坡速度，以及下游车规与能源场景的需求兑现程度。设备端能做的，是让封装工艺的窗口更宽一些。至于这轮投入是提前布局还是阶段性过热，值得在评论区说说各自的观察。 据行业公开报道
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
