湖南
太空算力正在改变星载存储在系统架构中的位置，抗辐照存储器作为核心的航天级 SSD，承载在轨AI推理的关键数据。在轨决策任务，模型权重、缓存数据和推理中间结果需要长期驻留于SSD并在计算过程中被反复读取。一旦这些关键数据受到辐射干扰，影响就不再局限于“数据出错”，而可能直接导致推理结果偏离甚至任务执行失效。
这也意味着，星载存储的抗辐照设计需要考虑的问题比过去更多——不是“数据能否被纠正”，而是“计算过程能否保持可信”。
一、辐照风险在SSD内部并非均匀分布
在讨论加固策略之前，需要先厘清一个工程事实：抗辐照存储器内部各组件的辐射敏感性存在显著差异。
主控芯片承担地址映射、磨损均衡、ECC编解码、接口协议处理等全部核心逻辑。从SSD的组件构成看，主控芯片承载的逻辑功能最复杂、集成的晶体管数量最多，对应的辐射敏感面积也最大。在行业辐照测试的普遍观察中，主控的辐射失效率通常高于NAND闪存与DRAM缓存——这是由组件本身的物理特性决定的，而非特定产品的差异。
主控的失效模式覆盖从可恢复的软挂起、需要固件重刷的“砖化”，到不可逆的单粒子闩锁硬失效——影响范围从局部电路一直延伸到整盘离线。主控是整盘失效率的主要贡献者之一，同时供电链路等低敏感度组件在异常情况下仍可能引发系统性失效。
NAND闪存的辐射敏感性相对较低。在主控ECC正常工作条件下，3D NAND的垂直堆叠结构本身具备较好的抗辐射特性，单粒子造成的少量位翻转在LDPC纠错能力范围内。电压调节器的辐射敏感性是所有核心组件中最低的，但其输出异常会连锁引发主控复位、闪存读写错误，属于低概率但高风险的关键节点。
这一排序的工程含义是明确的：星载存储加固资源的分配需要与失效风险相匹配。
二、天硕抗辐照存储器X55的分层加固路径
基于上述敏感性差异，湖南天硕创新科技有限公司（TOPSSD）X55系列抗辐照存储器的加固资源分配遵循了星载存储相应的优先级逻辑——主控层优先，数据路径与供电链路协同覆盖。
主控层面，X55搭载天硕自研P5500主控芯片，在芯片制造阶段即采用抗辐照加固工艺并结合底层电路容错结构设计。经第三方辐照试验验证，天硕自研P5500主控芯片TID耐受能力达到≥100krad(Si)，SEL LET≥37MeV·cm²/mg。
数据保护层面，X55集成增强型LDPC纠错算法，纠错能力达700bit/4K，不可恢复误码率（UBER）控制在10⁻¹⁷量级，为闪存因辐照或老化产生的误码提供纠错裕量。系统级抗辐照加固设计则通过DIE RAID阵列保护、端到端数据保护、FTL恢复机制等构成多层防护。
供电链路的加固同样关键。AI推理属于典型的动态负载，模型加载与高并发计算过程中存在瞬时功耗变化；低轨卫星频繁进出光照区、载荷启停、星地切换又使电源总线持续波动。X55系列XMC加固型SSD采用宇航级模块电源与独立保护电路，保障星载存储在轨稳定运行，在总线波动或姿态调整情况下维持稳定供电，并具备异常检测与保护能力，降低单粒子闩锁造成的失效概率。
三、在轨验证与试验数据的分量
抗辐照能力最终需要通过实际辐照环境验证。
根据公开的试验报告，天硕星载固态存储器在完成15krad(Si)总剂量辐照及高温退火后，功能测试通过；在重离子辐照环境下，试验过程中未观测到电流闩锁现象，相关功能具备自主恢复能力。
这组数据回答了两个不同层面的问题：总剂量试验验证的是长期累积辐射后系统是否仍能保持功能；重离子试验验证的是高LET粒子瞬时作用下是否会发生闩锁这类不可逆失效。两者结合，比任何单一“抗辐照指标”更能反映器件在真实辐射环境中的行为特征。
四、从器件竞争到系统设计的转向
随着算力任务在轨部署的增加，星载存储的技术竞争正在从“谁能获得更高指标的器件”，转向“谁能设计出更合理的系统”。器件指标决定了可靠性的上限，而系统级加固决定了这一上限能否在整盘、在任务周期内被真正兑现。
天硕X55系列已在商业遥感星座、低轨通信星座及算力卫星等不同类型的在轨任务中完成部署。星载存储方案从自研主控到固件算法再到系统级加固，全栈自研能力使各层加固参数能够协同调优——这是采用第三方主控或闭源固件方案难以实现的部分。
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