北京
前英特尔首席执行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）有了新的下注方向。他正通过风投机构 Playground Global，支持内存初创公司 Nagare Labs 开发下一代存储技术 Z2RAM。
这家公司近期完成了由 Playground Global 领投的 500 万美元种子轮融资。它要做的是一款兼具 SRAM 速度与 DRAM 密度的 AI 计算内存，瞄准的是“内存墙”瓶颈。
Z2RAM 出自佐治亚理工学院研究者苏曼·达塔与于世萌创立的 Nagare Labs。技术上，它采用氧化物半导体材料，并计划通过 3D 混合键合直接集成在逻辑芯片上方。
它最受关注的卖点在于制造路径：使用标准后端工艺（BEOL），无需极紫外光刻（EUV），通过单次曝光就能形成多层存储结构。按这一思路，密度有望提升，制造复杂度与成本则可能下降。
存储单元的设计也与传统 DRAM 不同。Z2RAM 不靠电容存电荷，而是采用基于晶体管的存储单元，可实现非破坏性读取，从而有望降低访问延迟。团队还计划像 NAND 闪存那样垂直堆叠存储单元，初期实现方案的目标比特密度可达 SRAM 的 5 倍以上。
不过这项技术仍停留在实验室原型阶段。Nagare Labs 正在寻找研发制造合作伙伴，以突破大学洁净室的产能限制。公司的节奏是：四年内推出可工作的 Z2RAM 内存芯片样品，并在未来十年内实现商业化交付。
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