北京
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国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司取得一项名为“降低重掺砷（111）晶向单晶硅断面缺陷密度的拉晶方法及单晶硅棒”的专利，授权公告号CN121023641B，申请日期为2025年9月。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息433条，此外企业还拥有行政许可27个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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