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(来源:第三代半导体产业)
9月14日,福建环保网公示《厦门士兰集宏半导体有限公司 8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生产线项目(一期)阶段性竣工环境保护验收监测报告表》,该项目一期阶段性竣工环保验收合格,标志这条国内重点布局的车规级碳化硅产线在合规投产进程上迈出关键一步。
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验收文件显示,士兰集宏 8 英寸 SiC 项目一期于 2024 年 6 月开工,规划总投资 70 亿元,现阶段实际投入 56 亿元,部分设备暂未进场投建;项目占地 13.63 万平方米。一期设计产能为月产 8 英寸 SiC 功率器件芯片 3.5 万片、年产 42 万片。本次验收阶段产线设备尚未全部到位,核查实际产能为月产 2.33 万片,折合年产 28 万片。
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该项目整体规划分两期实施,总建筑面积 23.45 万平方米,主打 SiC MOSFET 功率器件。待二期建成投产后,项目整体年产能将提升至 72 万片,有望跻身全球规模领先的 8 英寸碳化硅功率器件产线行列。
士兰微电子表示,项目建成投产后,将重点保障国内新能源汽车领域碳化硅芯片供给,同时面向光伏、储能、充电桩、AI 服务器电源、大型白电智能功率模块等功率逆变场景,提供高性能 SiC 芯片产品。项目落地还将带动国内 8 英寸碳化硅衬底、配套工艺装备产业链协同升级,夯实本土第三代半导体产业配套能力。
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