北京
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国家知识产权局信息显示，上亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN122995170A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包含一透明衬底、一外延结构及一分布式布拉格反射镜结构。外延结构设置于透明衬底的一侧面，分布式布拉格反射镜结构设置于透明衬底与外延结构相对的一背侧。其中，一可见光可实质依序地穿透外延结构、透明衬底及分布式布拉格反射镜结构，但可见光以外的其他光线可实质由分布式布拉格反射镜结构反射回透明衬底中。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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