北京
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IT时代网10月27日消息，美光宣布下一代G11 NAND闪存将采用晶圆对晶圆堆叠技术，计划于2027年下半年出货400层3D NAND。
当前G9技术已在美光产品线全面出货，堆叠层数超过200层。随着现有技术逼近极限，G11将把每片晶圆拆分为存储单元晶圆与外围逻辑电路晶圆，再通过混合键合技术完成晶圆级堆叠，使NAND模块容量翻倍。这一路线与长江存储的Xtacking架构思路相似。
美光公布的数据显示，G11的每平方毫米存储密度将从G9的21Gb翻倍至42Gb；I/O速度从3600MT/s提升至5400MT/s；每比特传输能耗预计降低25%。
本文配图由AI生成
编辑：林一舟
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