北京
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122995145A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构，包括在基板中的电容器、连接电容器的通道、在通道周围的栅极介电层、在基板上的字元线。通道和栅极介电层延伸穿过字元线。半导体结构进一步包括在通道上的着陆垫及在着陆垫上的位元线。位元线的底表面低于着陆垫的顶表面，且位元线的底部宽度小于位元线的顶部宽度。半导体结构进一步包括在基板上的第一介电层及在第一介电层和位元线上的第二介电层。也揭露了形成半导体结构的方法。本发明使得位元线和着陆垫之间的电气短路的可能性可以减小。更进一步地，位元线可具有均匀的排列且与着陆垫有更好的连接。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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