北京
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体晶片和形成半导体晶粒的方法”的专利，公开号CN122995612A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体晶片和形成半导体晶粒的方法。半导体晶片包括衬底和测试结构。衬底包括阵列排列的晶粒区域和晶粒区域之间的切割线。测试结构设置在衬底上的切割线中。测试结构包括彼此间隔开的第一探针垫和第二探针垫。第一探针垫和第二探针垫各包括第一部分、与第一部分相邻但分离的第二部分以及电连接在第一探针垫和第二探针垫之间的第一测试电路，其中第一探针垫的第一部分和第二部分中的一个在物理上和电气上连接到第一测试电路。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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