北京
国家知识产权局信息显示，长园半导体设备（苏州）有限公司申请一项名为“IGBT模块二次焊接治具分离装置”的专利，公开号CN122956048A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种IGBT模块二次焊接治具分离装置，包括治具分离模组和搬运模组，治具分离模组包括治具定位模块和插拔模块，治具定位模块设有治具定位槽；插拔模块包括联动组件和插拔驱动组件，联动组件适于与防炸锡板连接固定，插拔驱动组件适于驱动联动组件移动；搬运模组包括搬运驱动模块、模块搬运组件和框架搬运组件，搬运驱动适于驱动模块搬运组件和框架搬运组件移动；通过框架搬运组件自动移离限位框架、插拔模块自动拔出防炸锡板，再通过模块搬运组件搬运IGBT模块，使IGBT模块能够从焊接治具中完全分离，该过程全程无需人工接触，显著提高了生产效率，保证了产品一致性和洁净度，有效提升了IGBT模块二次焊接后治具分离环节的工艺可靠性。
天眼查资料显示，长园半导体设备（苏州）有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，长园半导体设备（苏州）有限公司参与招投标项目5次，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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