芯联集成电路制造取得半导体器件相关专利，均衡挥发成分，避免金属层色差，提升目检效果

来源：新浪证券-红岸工作室

10月25日消息，国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，授权公告号CN116646240B，授权公告日为2026年10月23日。申请公布号为CN116646240A，申请号为CN202310714811.7，申请公布日期为2026年10月23日，申请日期为2023年6月15日，发明人秦永星、刘鹏、李乾伟、秦岩，专利代理机构上海思微知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师郑星，分类号H10D64/01、H10P14/40、H10P95/90、H10P14/60、H10P14/68。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，所述方法包括：提供若干个晶圆，晶圆的正面涂覆有保护膜，且晶圆的背面形成有金属层；将若干个晶圆间隔堆叠于加热管内，且加热管的腔内壁预先粘附有保护膜；采用第一温度加热晶圆，使得部分保护膜挥发并均匀分布于加热管的腔内。基于此，在加热晶圆的过程中，晶圆正面和加热管的腔内壁的部分保护膜均会挥发。且因加热管内气流的流动，晶圆正面的保护膜挥发的部分主要分布于晶圆的中心区域，边缘区域较少。加热管的腔内壁的挥发的保护膜则可弥补晶圆边缘区域挥发成分少的问题，使得保护膜的挥发成分在加热管的腔内均匀分布，则金属层各处接触的挥发成分量均衡，避免了金属层出现色差，提高目检结果。

芯联集成是国内领先的特色工艺晶圆代工企业，聚焦MEMS与功率半导体领域，具备全流程代工技术优势。公司成立于2018年3月9日，2023年5月10日登陆上海证券交易所，注册及办公所在地均为浙江省。

芯联集成主营业务覆盖MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务，可为客户提供一站式系统代工解决方案，所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，同时布局中芯国际概念、集成电路、汽车芯片三大热门概念板块。

2026年三季度，芯联集成实现营业收入77.58亿元，在所属1家同行业企业中位列第一，当期行业营业收入平均数与中位数均为77.58亿元；同期实现净利润3.4亿元，同样在全行业1家参评企业中排名首位，行业净利润平均数与中位数均达3.4亿元。

指标类型 报告期 芯联集成数值 行业排名/总家数 行业平均数 行业中位数 营业收入 2026年三季度 77.58亿元 1/1 77.58亿元 77.58亿元 净利润 2026年三季度 3.4亿元 1/1 3.4亿元 3.4亿元

芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1电子油泵控制器的算力评估方法、装置、计算机设备和存储介质发明专利CN202611145716.X2026-07-30CN122946248A2026-10-20李铁峰、何耀华、陆珏2MEMS麦克风的制备方法发明专利CN202611121508.62026-07-27CN122970451A2026-10-23王鹏、徐泽洋、姚阳文3形成硅通孔结构的方法发明专利CN202611103943.62026-07-24CN122971239A2026-10-23毕丽丽4半导体结构以及制造半导体结构的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611011850.02026-07-08CN122765958A2026-09-15张磊、方潇功、库尔班·阿吾提5一种无尘室动态环境监控方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610980683.42026-07-02CN122775512A2026-09-18王生、王天东、刘超6半导体器件的制备方法发明专利公布CN202610927683.82026-06-25CN122704843A2026-09-08任杨波7芯片缺陷定位方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610869507.32026-06-16CN122631647A2026-08-25崔壮8MEMS器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610869881.32026-06-16CN122748564A2026-09-15王新龙9垂直腔面发射激光器的制备方法发明专利公布CN202610861716.32026-06-15CN122716685A2026-09-08靳闪闪、何琼10缺陷定位方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610846155.X2026-06-12CN122612651A2026-08-21李晓童、罗昌平、李剑11MEMS器件的背腔偏移测试结构及测试方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610844554.22026-06-11CN122561818A2026-08-14傅思宇12键合结构对准标记形成方法及键合结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610844002.12026-06-11CN122685007A2026-09-04王红海、吕林静13一种MEMS器件及电子装置发明专利公布CN202610843036.92026-06-11CN122718612A2026-09-08唐丽文14光刻掩膜和图形化方法发明专利公布CN202610649381.92026-05-12CN122488424A2026-07-31李悦、眭小超15一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610613072.62026-05-07CN122161437A2026-06-05于贝贝、张俊龙、王琛16半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件发明专利授权CN202610603325.12026-05-06CN122138453B2026-07-21黄艳、赵晓燕17红外传感器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610588080.X2026-04-29CN122505417A2026-08-04周健18晶圆版图结构及晶圆结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610504645.12026-04-16CN122341221A2026-07-03李悦、眭小超19半导体器件背面金属化的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610488963.32026-04-14CN122396221A2026-07-14黄旭波、眭小超20一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610488964.82026-04-14CN122396034A2026-07-14金善武、李婧、程显、张文博、姚泽辉21振膜及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610430343.42026-04-02CN122349078A2026-07-07李佳利、徐泽洋、王鹏、鲁列微22半导体器件的制备方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610420503.72026-04-01CN122340816A2026-07-03王强、孙金山、顾学强、宋苗苗23半导体器件的制备方法、半导体器件及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610404592.62026-03-30CN122318834A2026-06-30徐鹏、张偲、王天然、张俊龙24半导体器件的制备方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610400260.02026-03-30CN122340887A2026-07-03田淑芳、赵晓燕、黄艳25深沟槽电容器的制备方法及深沟槽电容器发明专利实质审查的生效、公布CN202610370329.X2026-03-25CN122180083A2026-06-09林笛、赵晓燕、张子文26电容麦克风、半导体结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610365274.32026-03-24CN122054060A2026-05-15傅思宇、姚阳文27封装打线应力监测结构、芯片封装结构及封装打线应力的监测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610350219.72026-03-20CN122318819A2026-06-30张坦、李婧、吴桥伟28半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610340887.12026-03-19CN122227653A2026-06-16赵冰、赵晓燕、黄艳29LDMOS器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610340345.42026-03-19CN122227629A2026-06-16李宏伟30套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610325340.42026-03-17CN121978872A2026-05-05李忠仁、赵晓燕、何福秀31霍尔器件及其制造方法发明专利授权CN202610321598.72026-03-17CN121888864B2026-07-10黄艳、赵晓燕32半导体器件及其制作方法、芯片、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610319423.22026-03-16CN122318295A2026-06-30黄艳、赵晓燕33MEMS结构及其制备方法和测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610263262.X2026-03-05CN122102048A2026-05-29王红海34半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610264470.12026-03-05CN122301116A2026-06-30王曦35一种霍尔元件发明专利实质审查的生效、公布CN202610252635.32026-03-03CN122121538A2026-05-29李宏伟36DUP器件的焊盘结构及其打线方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610252633.42026-03-03CN122121712A2026-05-29李宏伟37MEMS微镜及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610242335.72026-02-28CN122218940A2026-06-16毕丽丽、罗传鹏38半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610235585.82026-02-27CN122121255A2026-05-29黄艳、赵晓燕、石磊39垂直腔面发射激光器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610206631.12026-02-12CN122068361A2026-05-19靳闪闪、何琼40一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610201260.82026-02-11CN122054671A2026-05-15黄艳、赵晓燕41滤波器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610191106.72026-02-10CN122119555A2026-05-29穆苑龙、王鹏、姚阳文、徐泽洋42MEMS器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610173899.X2026-02-06CN121974292A2026-05-05胡永宝、姚阳文、徐泽洋43MEMS器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610161355.12026-02-04CN122054059A2026-05-15王鹏44高压电容隔离器及其制造方法发明专利授权CN202610156455.52026-02-04CN121645907B2026-05-26徐涛、王旭、刘晓雪45半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610144599.92026-02-02CN122054611A2026-05-15张子文、赵晓燕、林笛46深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075516.52026-01-20CN121888936A2026-04-17张涛、王旭47用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075821.42026-01-20CN122028704A2026-05-12李忠仁、赵晓燕、何启庆48负性光刻胶去边方法发明专利公布CN202512047655.52025-12-31CN121657384A2026-03-13张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩49封装件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512031182.X2025-12-30CN121772812A2026-03-31徐达武、龚俊能50一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511994715.82025-12-26CN121728807A2026-03-24叶强飞、黎哲、何云、罗顶