北京
国家知识产权局信息显示，北京紫亦芯集成电路有限公司申请一项名为“一种多层交替叠层二维材料膜电磁屏蔽结构及其制备方法”的专利，公开号CN122971254A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种多层交替叠层二维材料膜电磁屏蔽结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括氧化铝陶瓷基底及溅射镀铜层上的电镀铜芯片焊盘、经焊料接点连接的控制芯片以及经铜‑铜混合键合微凸块阵列连接的拓扑光子芯片，控制芯片与拓扑光子芯片外围设有由二维纳米材料薄膜与绝缘过渡层交替层叠形成的多层交替叠层复合式电磁屏蔽层，相邻薄膜层间设有预设晶格扭角以形成电磁阻隔，屏蔽层边缘经真空镀膜层与接地引脚电热连接。光通口端口凸出屏蔽层并与光纤耦合对接口相连，环氧塑封层整体包覆且露出对接端部。本发明在微米厚度下兼顾高电磁屏蔽效能与横向导热，解决层间串扰与积热问题，适配量子及高频芯片三维封装。
天眼查资料显示，北京紫亦芯集成电路有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本21000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京紫亦芯集成电路有限公司参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息56条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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