北京
国家知识产权局信息显示，福建省闽飞纳芯半导体技术有限公司申请一项名为“一种基于硅凹槽差异的块状晶体管与绝缘体上硅晶体管的制造方法及装置”的专利，公开号CN122970980A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于硅凹槽差异的块状晶体管与绝缘体上硅晶体管的制造方法，包括提供第一硅片，在第一硅片上形成浅槽隔离结构，并完成阱注入与沟道注入，还包括如下步骤：S1：在第一硅片上对应不同器件区域的硅表面进行差异化硅凹槽刻蚀，形成深度不同的硅凹槽；S2：在差异化硅凹槽的硅表面沉积氧化物；S3：对氧化物进行化学机械抛光回刻蚀，使第一硅片表面平坦化；S4：提供经氢离子注入的第二硅片，键合至第一硅片上进行智能切割分离；S5：在第一硅片上同时形成块状晶体管和绝缘体上硅晶体管的栅极结构。本发明与现有技术相比的优点在于：提供一种实现FDSOI结构与Bulk结构在同一晶圆上的无缝集成的一种基于硅凹槽差异的块状晶体管与绝缘体上硅晶体管的制造方法及装置。
天眼查资料显示，福建省闽飞纳芯半导体技术有限公司，成立于2026年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省闽飞纳芯半导体技术有限公司。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
