北京
国家知识产权局信息显示，国硅集成电路技术（无锡）有限公司申请一项名为“一种高侧能常通的高侧供电电路及方法”的专利，公开号CN122969347A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高侧能常通的高侧供电电路及方法，涉及集成电路技术领域，解决了高侧电源VBS难以使高侧长时间导通（100%占空导通）以及电路难以集成的技术问题，其技术方案要点当高侧电源电压VB低于低侧电源VDD时，VDD通过自举电路对VB充电，当VB高于VDD时，电荷泵电路对VBS（VB‑VS）充电，直到VBS电压高于预定值时，关闭电荷泵电路。所述电荷泵电路的电源既可以由VDD通过自举电路供电，又可以由VS通过二极管供电，这样无论在VS处于低压还是高压，电荷泵电路都可以工作。本申请既能维持高侧电源VBS长时间稳定，使高侧能100%占空比导通，又可以避免系统启动问题。
天眼查资料显示，国硅集成电路技术（无锡）有限公司，成立于2020年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本743.0341万人民币。通过天眼查大数据分析，国硅集成电路技术（无锡）有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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