北京
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国家知识产权局信息显示，星科金朋管理私人有限公司申请一项名为“半导体器件和形成用于阻止底部填充材料到达敏感区块的阻挡部的方法”的专利，公开号CN122971288A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，公开了半导体器件和形成用于阻止底部填充材料到达敏感区块的阻挡部的方法。半导体器件具有电组件，电组件包括形成在电组件上的波导。阻挡部被部署在波导或其它光学区域附近。阻挡部可以是沟槽、坝、或立柱、或其组合。例如，可以存在沟槽和坝、或沟槽和立柱、或沟槽、坝和立柱、或其组合。电组件被部署在互连基板之上。导电柱形成在互连基板与电组件之间。底部填充材料沉积在电组件与互连基板之间。阻挡部阻止或阻碍底部填充材料到达波导。沟槽可以是线形路径、U形的或具有侧翼。坝延伸在电组件与互连结构之间。多个立柱可以被部署在电组件与互连结构之间。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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