北京
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国家知识产权局信息显示，SPTS科技有限公司申请一项名为“等离子体蚀刻方法”的专利，公开号CN122971191A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，提供一种对碳化硅衬底进行等离子体蚀刻以形成特征的方法。所述方法包括以下步骤：提供上面形成有掩模的碳化硅衬底，所述掩模具有开口；执行第一等离子体蚀刻步骤；执行第二等离子体蚀刻步骤；其中，所述第二等离子体蚀刻步骤使用包括含硅气体及氮气或含氮气体的蚀刻配方。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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