四川
10月9日多家外媒报道，阿斯麦（ASML）和蔡司联合发布了下一代EUV光刻技术的路线图，预计10 年后才就绪。
这次披露的核心指标里，数值孔径（NA 值）要达到 0.75，最小特征尺寸（分辨率）能到 5 纳米，比现有 EUV 缩小 1/3。
要是用 SAQP 工艺，还能再缩小 4 倍，理论最小尺寸到 1.25 纳米，这已经是原子级精度了。
NA 值是光刻机分辨率的核心，公式里光源波长不变的话，NA 越大，分辨率越高，阿斯麦的第一代 EUV NA 是 0.33，第二代 High NA 是 0.55，这次直接推出 Hyper NA EUV，NA 值到 0.75。
有人问，为啥不直接造个超大反射镜？因为光刻机是反射系统，入射和反射光不能重叠，镜子的排列、间距、折叠次数都有讲究。
从 0.55 到 0.75，刚好在现有折叠几何的范围内，设备体积不用变大，要是再到 0.85，光路就得大改，体积暴涨，晶圆厂装不下，成本也会高到没人买。
还有光照侧的问题，EUV 光照是反射式的，要避免光线重叠，得有 6 度左右的斜角。
NA 升高会让斜角变大，这会降低反射镜的反射率，还影响对比度、位置偏移等，所以得控制角度，这次 0.75 的设计只加 1 度，尽量复用现有光照系统。
就算这些都解决，还有工艺层面的挑战，NA 从 0.55 升到 0.75，增加了 36%，但景深会减少 50%。
景深变浅，晶圆上的微小起伏都会让图案失焦，所以对焦精度要提升，晶圆平整度要更好，光刻胶也要更薄，这是一整套工艺的迭代，不是光改 NA 值就行。
1.25 纳米原子级精度要是实现，搭配先进的晶圆布局和材料，芯片密度会达到惊人的高度。
不过这台7 亿一台的新光刻机，大概率是 EUV 时代的最后一款，再往后就得换波长到 6.7 纳米，那是彻底的技术重建了。
这是现有技术对 EUV 的极限压榨，只是谁会买这台 10 年后才就绪的天价设备？
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