北京
国家知识产权局信息显示，北京灵童半导体有限公司申请一项名为“多比特位的数控衰减结构及其控制方法、射频衰减器”的专利，公开号CN122951616A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种多比特位的数控衰减结构及其控制方法、射频衰减器，数控衰减结构包括主开关支路、至少一条并联衰减支路和多条第一衰减量调节支路，主开关支路包括第一晶体管开关，并联衰减支路包括多个堆叠且依次串联的第二晶体管开关，除首个第二晶体管开关之外的其余第二晶体管开关的漏极均分别连接一条第一衰减量调节支路以接入参考地，通过控制第一晶体管开关和第二晶体管开关的导通或关断使衰减结构工作于参考态或衰减态，并在第一晶体管开关关断时通过控制各第二晶体管开关的状态组合输出与不同预设衰减需求对应的比特位衰减量，将多个衰减档位功能集成于单个衰减单元中，实现了多比特位衰减功能的同时有效减小了插入损耗和芯片面积。
天眼查资料显示，北京灵童半导体有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本179.645万人民币。通过天眼查大数据分析，北京灵童半导体有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息8条，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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