北京
国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“选择性外延生长预处理方法以及硅锗层形成方法”的专利，公开号CN122952628A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明提供了一种选择性外延生长预处理方法以及硅锗层形成方法，所述选择性外延生长预处理方法包括：提供一半导体衬底，且半导体衬底中形成有凹槽；在凹槽的内侧表面形成多晶硅牺牲层，多晶硅牺牲层用于吸附半导体衬底中的杂质；利用刻蚀工艺去除多晶硅牺牲层以露出凹槽表面，且露出的凹槽用于选择性外延生长硅锗层。本发明通过选择性外延生长预处理方法可以去除半导体衬底中的杂质，提升后续选择性外延生长的硅锗层的质量。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目197次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1173条，此外企业还拥有行政许可57个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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