北京
来源：环球网
近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布，Primo Domingo®气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内重要集成电路研发制造客户。芯片架构三维化正成为支持芯片持续缩微的重要动能，而高选择性刻蚀工艺是三维器件制造的最关键工艺之一。针对GAA、3D NAND、3D DRAM等器件工艺需求，中微公司在高选择性刻蚀设备领域的重要突破，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。
中微公司Primo Domingo®采用全对称腔体结构与优化流场设计，在气体注入、温度控制、压力调控等关键环节实现系统整合，确保晶圆表面刻蚀的高度均匀性与工艺重复性。Primo Domingo®独特的集成气柜设计，可缩短气体注入距离，实现更快脉冲气体精密控制，提升刻蚀性能。设备内部采用了高抗腐蚀管路与特殊涂层材料以应对工艺所需的高活性刻蚀气体，保障设备长期可靠运行。此外，Primo Domingo®配备了双制冷/双加热晶圆基座，支持宽范围精准温控，显著提升了刻蚀工艺的均匀性与稳定性。Primo Domingo®同样搭载中微公司量产的Primo C6V3传输系统，可灵活搭配主刻蚀腔和辅助退火腔，满足不同刻蚀应用的需求。
中微公司资深副总裁丛海表示：“中微公司开发的一系列刻蚀设备在性能、稳定性等方面满足了客户的高标准要求，并可覆盖国内大多数的刻蚀应用需求。”
目前，中微公司已经累计开发出54种高端半导体设备，其中包括26种细分的单反应台反应腔和双反应台可单台独立操作的高能等离子体CCP及低能等离子体ICP刻蚀机，还包括24种薄膜设备，如各种MOCVD、PECVD、LPCVD、ALD、EPI设备和CMP及先进封装、光学量检测设备等。截至2026年6月底，中微公司已累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线上实现量产，设备稳定性、工艺精度、量产适配性获得全球市场充分验证。（古雨）
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