北京
国家知识产权局信息显示，江西万年晶半导体有限公司申请一项名为“一种具有高阻帽层的增强型GaN HEMT器件及其制备方法”的专利，公开号CN122952642A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具有高阻帽层的增强型GaNHEMT器件及其制备方法，涉及微电子器件技术领域，包括衬底、依次设置在衬底上的GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，以及设置在AlGaN势垒层上的源极、漏极和位于源漏之间的p‑GaN层，所述p‑GaN层上方设置有高阻渐变碳掺杂GaN帽层，帽层上方设置有栅极，所述高阻渐变碳掺杂GaN帽层中，碳掺杂浓度沿厚度方向自底部向顶部逐渐增大。本发明通过在p‑GaN层与栅极之间引入碳掺杂浓度垂直渐变的高阻帽层，有效提升了栅极正向耐压能力，显著抑制了栅极泄漏电流，同时避免了高浓度碳掺杂对p‑GaN层的补偿失活，保持了良好的阈值电压和导通特性，且本发明的工艺兼容性强，易于量产。
天眼查资料显示，江西万年晶半导体有限公司，成立于2023年，位于上饶市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本19000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西万年晶半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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