北京
国家知识产权局信息显示，重庆平伟半导体股份有限公司申请一项名为“一种集成碳化硅栅源二极管的SGT器件及其制造方法”的专利，公开号CN122952672A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开一种集成碳化硅栅源二极管的SGT器件及其制造方法，通过使用PN结耗尽层代替层间氧化层的概念，将原本沟槽内的多晶硅栅极‑氧化层‑多晶硅分离栅结构转化成对应相同厚度的N型多晶碳化硅栅极‑低掺杂N型碳化硅‑P型碳化硅分离栅这样的PIN二极管结构。该结构使SGT器件在短路耐受测试中，利用栅源二极管反向电流的正温度特性，使短路发生时，局部温升会导致集成PIN的栅源漏电增大，而增大的漏电流能利用栅极电阻自动减小栅极电压以提高其短路耐受能力。同时，通过仿真结果的对比，其替代后的正向导通及耐压特性与常规结构基本一致。
天眼查资料显示，重庆平伟半导体股份有限公司，成立于2007年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本16618.7556万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆平伟半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目39次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息269条，此外企业还拥有行政许可58个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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