北京
国家知识产权局信息显示，晶芯半导体（黄石）有限公司申请一项名为“一种降低晶圆刻蚀后颗粒缺陷的处理方法”的专利，公开号CN122952887A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本申请提供了一种降低晶圆刻蚀后颗粒缺陷的处理方法，包括：将刻蚀后晶圆依次使用第一处理液、第二处理液和第三处理液处理，再经水漂洗和干燥；其中，第一处理液包括羟基羧酸络合剂、氨基酸型缓蚀剂和水，第二处理液包括聚羧酸聚合物、表面活性剂和水，第三处理液包括低于第二处理液浓度的聚羧酸聚合物和水。本申请通过依次削弱颗粒桥连吸附、形成颗粒水化分散状态并进行低浓度聚羧酸过渡处理，能够降低刻蚀后晶圆表面的颗粒残留和再沉积，从而降低晶圆刻蚀后的颗粒缺陷。
天眼查资料显示，晶芯半导体（黄石）有限公司，成立于2019年，位于黄石市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本55492.1466万人民币。通过天眼查大数据分析，晶芯半导体（黄石）有限公司参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息49条，此外企业还拥有行政许可36个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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