中微公司申请薄膜沉积装置相关专利，该装置可提升局部薄膜生长速度

来源：新浪证券-红岸工作室

10月22日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种薄膜沉积装置”的专利。申请公布号为CN122942014A，申请号为CN202510467085.2，申请公布日期为2026年10月20日，申请日期为2025年4月14日，发明人王宝赋、郭世平、姜勇、周宁、张凯、王家毅，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师南慧荣、包姝晴，分类号C23C16/44、C23C16/455。

专利摘要显示，本发明公开了一种薄膜沉积装置，该装置包含：真空反应腔，其具有进气开口和排气开口，进气开口用于沿水平方向向真空反应腔内供应工艺气体；基座组件，其设置于真空反应腔内，基座组件包含用于承载基片的承载面；真空反应腔内包含与进气开口对应的进气区域、与排气开口对应的排气区域以及位于进气区域和排气区域之间的处理区域；设定自进气区域向排气区域的方向为薄膜沉积装置的长度方向，在水平面内与长度方向垂直的为其宽度方向，自处理区域至排气区域的路径上，沿长度方向，至少部分处理区域的宽度呈连续减小趋势。该装置可提升处理区域宽度减小区域中的工艺气体的密度，从而增加基片在该区域的薄膜生长速度。

天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期2004年5月31日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本95784.2348万人民币，实缴资本95784.2348万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了31家企业，参与招投标项目94次，财产线索方面有商标信息132条，专利信息1760条，拥有行政许可89个。

中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种射频功率供应系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511924458.02025-12-18CN121879506A2026-04-17倪图强、李博睿、刘依、肖尧、黄阳、邱文杰2一种半导体器件的清洁设备实用新型授权CN202522557919.72025-12-01CN224627115U2026-08-11孙家鑫3一种气相沉积设备实用新型实用新型专利权授予、授权CN202522296437.02025-10-29CN224870150U2026-10-20姜勇、黄稳、谢振南、刘从灵4一种工艺顶盖及气相沉积设备实用新型授权CN202521979639.92025-09-15CN223458392U2025-10-21刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平5一种基座组件及薄膜沉积设备实用新型授权CN202521898721.92025-09-03CN224728610U2026-09-08徐立、陈佳波、吕术亮6晶圆托盘外观专利授权CN202530511724.12025-08-28CN309976984S2026-05-12代宇通、汪国元、黄稳、姜勇7一种下电极组件及半导体处理设备实用新型授权CN202521735715.12025-08-14CN224625542U2026-08-11李林、周艳、范光伟、张一川、叶如彬、唐观扬、左涛涛、郭二飞、杨宽8聚焦环外观专利授权CN202530468204.72025-08-08CN310024085S2026-06-09范光伟、周艳9聚焦环外观专利授权CN202530468218.92025-08-08CN310024087S2026-06-09范光伟、周艳10聚焦环外观专利授权CN202530468041.22025-08-08CN310024084S2026-06-09范光伟、周艳11一种气体喷淋头实用新型授权CN202521687595.22025-08-08CN224732740U2026-09-08周艳、李开元12用于等离子体处理设备中的气体喷淋头实用新型实用新型专利权授予、授权CN202521687597.12025-08-08CN224870225U2026-10-20孟可、叶如彬、周艳、王洪青、马越、田宁、邓璟雯、吕翌晟、李开元13一种气体喷淋头和上电极组件实用新型实用新型专利权授予、授权CN202521687593.32025-08-08CN224874264U2026-10-20周艳、李开元14一种等离子处理装置和用于等离子处理装置的聚焦环实用新型实用新型专利权授予、授权CN202521687596.72025-08-08CN224874265U2026-10-20范光伟、周艳15一种聚焦环及等离子体处理设备实用新型实用新型专利权授予、授权CN202521687592.92025-08-08CN224874263U2026-10-20范光伟、周艳16气体喷淋头外观专利授权CN202530466397.22025-08-07CN309910861S2026-04-10孟可、周艳、李开元17气体喷淋头外观专利授权CN202530466450.92025-08-07CN309910862S2026-04-10朱永成18气体喷淋头外观专利授权CN202530466394.92025-08-07CN309910860S2026-04-10周艳、李开元19接地环外观专利授权CN202530466452.82025-08-07CN310024083S2026-06-09周艳、李开元20物理气相沉积设备及其磁控管调整机构实用新型授权CN202521450528.92025-07-10CN224494308U2026-07-14马化韬、刘学滨、王能语21一种薄膜沉积装置实用新型授权CN202521349629.72025-06-27CN224620040U2026-08-11沈成绪、毕诗博、刘人龙、许灿22一种加热器及化学气相沉积设备实用新型授权CN202521348839.42025-06-27CN224620036U2026-08-11刘志达、潘霖、郑振宇、谢振南23等离子体刻蚀设备实用新型授权CN202521333084.02025-06-26CN224625541U2026-08-11叶如彬、田宁、孟可、马越、范光伟24一种供气系统及半导体处理装置实用新型授权CN202521318120.62025-06-25CN224494325U2026-07-14刘进、徐灿阳、许灿、沈成绪、杨闰清25气体输送管道及半导体处理装置实用新型授权CN202521194367.12025-06-11CN224516526U2026-07-17梁锟、王海涛26一种气相沉积装置实用新型授权CN202521091304.32025-05-29CN224337694U2026-06-09何伟业、王能语、刘学滨、陈冬、张泽涛、刘雯伊27一种聚焦环功率调节组件实用新型授权CN202520964307.72025-05-15CN224342273U2026-06-09田宁、叶如彬、范光伟28一种等离子体处理装置及其约束环组件实用新型授权CN202520892625.72025-05-07CN224342272U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、孟可、田宁29一种真空吸盘、基座组件和薄膜沉积装置实用新型授权CN202520892567.82025-05-07CN224350749U2026-06-12董维、庄宇峰、付海涛、王晓明、李远30一种金属钛层的沉积工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510559967.12025-04-29CN122214841A2026-06-16沈成绪、许灿31反应腔、高深宽比结构及其形成方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510550377.22025-04-28CN120072612B2025-07-25尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强32基片托盘外观专利授权CN202530230568.12025-04-25CN309730273S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开33基片托盘外观专利授权CN202530230569.62025-04-25CN309730274S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开34环组件及外延生长设备实用新型授权CN202520811017.92025-04-25CN224337799U2026-06-09张辉、姜银鑫、陆顺开35一种下电极组件及等离子体处理设备实用新型授权CN202520786770.72025-04-23CN224342271U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、田宁、孟可36一种半导体处理设备及其气体喷淋头实用新型授权CN202520786902.62025-04-23CN224343720U2026-06-09程程、李雪子37电磁线圈组件及半导体加工设备实用新型授权CN202520763154.X2025-04-21CN224232426U2026-05-12王亚军、周国祥38一种磁控管组件及磁控溅射设备实用新型授权CN202520736456.82025-04-17CN224337693U2026-06-09刘畅、刘恺民、王能语39一种基片处理系统实用新型授权CN202520716379.X2025-04-15CN224267209U2026-05-22徐义、陈琦、莱纳德·刘、梁冬冬、张海龙、陶珩、吴红星40一种薄膜沉积装置发明专利发明专利申请公布、公布CN202510467085.22025-04-14CN122942014A2026-10-20王宝赋、郭世平、姜勇、周宁、张凯、王家毅41一种气相沉积设备及半导体处理系统发明专利公布CN202510444720.52025-04-09CN120830094A2025-10-24尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅42一种升降驱动组件和半导体工艺设备实用新型授权CN202520618963.12025-04-02CN224020732U2026-03-20李琳、王许、朱永成、周艳43一种工艺腔室的清洁方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202510399599.92025-03-31CN122856129A2026-10-02李昊、徐灿阳、许灿、何伟业44下电极组件及等离子体处理设备实用新型授权CN202520539349.62025-03-25CN224123342U2026-04-14田宁、叶如彬、范光伟45一种磁控管运动的控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510331420.62025-03-19CN122800520A2026-09-22刘恺民、王能语、刘畅46一种掩膜结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293724.82025-03-12CN121496378A2026-02-10罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海47掩膜结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293826.X2025-03-12CN121496322A2026-02-10罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海48一种掩膜结构及其制备方法、半导体设备发明专利实质审查的生效、公布CN202510293764.22025-03-12CN121496321A2026-02-10尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙49一种等离子体处理设备及使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510287823.52025-03-11CN122762552A2026-09-15王智昊、刘文辉50开盖机构、半导体设备及开腔方法发明专利公布CN202510280972.92025-03-10CN122729021A2026-09-11王世成、吴狄、连增迪、李兆晟