上海
10月21日，财闻海外资讯援引路透社报道，据四位知情人士透露，三星电子（005930.KS）与SK海力士（000660.KS）正升级其中国工厂以生产更先进的存储芯片，旨在抵御中国竞争对手的快速发展并满足人工智能领域的巨大需求。
三星与SK海力士向路透社确认升级正在进行，且正与华盛顿密切磋商，但未披露具体生产计划。
三星瞄准286层芯片
三星位于中国西安的工厂占其全球NAND闪存产量约40%，目前生产约200层芯片。据知情人士称，作为内部代号“Monami”项目的一部分，三星正将该设施改造为生产286层V9 NAND芯片，目标今年12月月产5000片晶圆，2027年12月跃升至4万片。三星表示升级符合美国出口法规，旨在满足包括美国客户在内的全球客户需求，并非扩产或新建设施。
SK海力士推进大连工厂升级
三位知情人士称，SK海力士计划将其中国大连工厂转为生产240层及以上NAND产品。该工厂目前生产192层产品，系2021年收购英特尔NAND业务所得，现为独立子公司Solidigm的唯一NAND制造基地，后者正筹备美国IPO。知情人士称，SK海力士获授权在大连生产最高240层芯片，或寻求华盛顿批准在当地研发300层以上芯片。
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