北京
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国家知识产权局信息显示，杭州宏湃半导体有限公司申请一项名为“一种半导体外延结构和半导体器件”的专利，公开号CN122952639A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明实施例公开了一种半导体外延结构和半导体器件，半导体外延结构包括衬底、沟道层、帽层、势垒层和至少两层插入层，势垒层和至少两层插入层均位于沟道层和帽层之间；任意两层相邻的插入层之间间隔有一层势垒层；插入层至少包括第一插入子层，第一插入子层的材料包括AlN；沿沟道层指向帽层的方向，各插入层中第一插入子层的厚度递减。本发明实施例的技术方案可以优化极化电场和应力分布，提升器件的阈值电压稳定性、电子迁移率和击穿电压等性能。
天眼查资料显示，杭州宏湃半导体有限公司，成立于2023年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本123.8334万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州宏湃半导体有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息14条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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