北京
国家知识产权局信息显示，重庆途点电子科技有限公司取得一项名为“一种含多级凹坑结构的半导体结构”的专利，授权公告号CN224875319U，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本实用新型公开一种含多级凹坑结构的半导体结构，包括衬底、籽晶层、缓冲层、外延层及沟槽。外延层由上至下依次设第一、第二、第三掺杂层，掺杂区域深度梯度增加；沟槽开设于外延层，底面设多级凹坑及纳米纹理，拐角为弧面结构，内壁覆盖多孔介电材料衬里层并填充隔离材料。通过弧面拐角与梯度掺杂优化电场分布，反向阻断电压提升20％～30％；籽晶层交替结构与低粗糙度缓冲层缓解晶格失配应力，裂纹发生率降低40％以上；正向导通电阻降低20％，生产成本减少15％～20％。适用于高压功率半导体器件，提升耐压性能与可靠性。
天眼查资料显示，重庆途点电子科技有限公司，成立于2021年，位于重庆市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆途点电子科技有限公司共对外投资了2家企业，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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