北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN122934799A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：栅极结构，该栅极结构设置在芯片区域中，并包括交替层叠的导电层和第一绝缘层；虚设结构，该虚设结构设置在围绕所述芯片区域的芯片保护区域中，包括交替层叠的第二绝缘层和第三绝缘层；以及芯片保护结构，该芯片保护结构位于所述芯片保护区域中，包括设置在所述虚设结构中的多晶硅层和围绕所述多晶硅层并延伸穿过所述虚设结构的导线。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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