北京
国家知识产权局信息显示，上海擎宜半导体有限公司申请一项名为“一种芯片测试过程中接触电阻异常的动态判别方法”的专利，公开号CN122922690A，申请日期为2026年9月。
专利摘要显示，本发明属于芯片测量电变量技术领域，尤其为一种芯片测试过程中接触电阻异常的动态判别方法，包括以下步骤：S1：设备开机后，通过触摸控制器完成整机自检，将待测试芯片依次放置在多工位测试台上并固定；S2：启动测试程序，联动控制机构驱动探针测试座下行，使测试探针稳定接触测试芯片的引脚。本发明通过在测试间隙插入检测窗口并主动注入双频微扰探测信号，利用接触电阻异常时的非线性特性谐波失真与互调失真，实时动态判别接触状态，并与测试系统联动处理；芯片测量电变量效果好，设备通过电磁夹持、螺旋槽与棘齿轮单向啮合等纯机械结构，实现探针下压测试与工位旋转的联动，提高测试自动化程度和准确性。
天眼查资料显示，上海擎宜半导体有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，上海擎宜半导体有限公司专利信息14条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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