北京
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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于浸入式等离子体源的屏蔽”的专利，公开号CN122935817A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本公开案的实施方式包括装置，所述装置包括具有第一端、第二端及安置在所述第一端与所述第二端之间的内孔的金属屏蔽件。所述内孔由所述金属屏蔽件的从所述第一端延伸到所述第二端的壁限定。所述第一端包括电接地部分。射频(RF)天线至少部分安置在所述内孔中。一或多个孔形成在所述RF天线与等离子体处理室的等离子体处理区域之间。介电材料覆盖所述一或多个孔。所述RF天线经配置以透过所述介电材料将RF功率传送到所述等离子体处理室的所述处理区域。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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