北京
数值孔径0.75的Hyper-NA将是下一个技术节点。
受AI芯片需求激增拉动，极紫外（EUV）光刻光学核心供应商蔡司的订单能见周期进一步拉长。蔡司半导体制造光学事业部（SMO）总裁Christoph Hensche在接受采访时表示，2026年与2027年的需求已经明确，蔡司以及部分其他厂商未来数年的产能已全部订满。
行业普遍预计，增长势头将延续至2028–2030年。为此蔡司正在扩产，避免在半导体需求加速阶段成为产能瓶颈。
High-NA已具备量产条件
SMO是蔡司半导体制造技术事业部（SMT）旗下最大业务单元，贡献该事业部绝大部分营收。该部门为爱思强光刻设备提供照明与投影光学系统，同时也向KLA等设备厂商供应晶圆检测光学组件。Hensche称，AI带来的需求爆发来得异常迅猛，这也拉长了光学组件的交付周期。他强调，蔡司当前拥有充足产能，为低数值孔径（Low-NA）和高数值孔径（High-NA）光学系统分别设立了专用装调产线，并且可以在两条产线之间灵活调配人员。
Hensche表示，从光学角度来看，High-NA EUV已经可以从试产阶段转入大规模量产。其反射镜技术、使用寿命与稳定性均基于已经稳定量产的低NA设备，技术门槛并没有大众想象中那么高。
截至2025年年末，ASML向蔡司半导体事业部发放的专项产能建设贷款总额达到19.1亿欧元，另外预先支付11.9亿欧元货款，用于锁定未来数年High-NA、Low-NA两代EUV光学组件产能。
芯片厂商采用节奏出现分化
不过头部芯片厂商在High-NA EUV的落地时间上存在明显分歧。Hensche提到，台积电拥有领先的市场份额，客户对其技术信心充足，可以继续依靠低NA光刻搭配双重曝光工艺满足需求，因此没有紧迫压力立刻上马High-NA。
英特尔策略更为激进，希望依靠全新制造能力缩小和竞争对手的差距。英特尔已经在部分产品上部署High-NA，而这些产品原本也能用低NA工艺制造，以此积累这项技术的实际使用经验。三星电子的落地节奏与策略大致介于台积电和英特尔两者之间。
Hyper-NA为下一代技术
在High-NA之后，Hensche指出数值孔径0.75的Hyper-NA将是下一个技术节点。蔡司现已具备满足客户对焦深、掩模效应要求的光学设计能力；尽管采用半场曝光，但12英寸光掩模依然可以维持较高产能。
即便如此，半导体工艺微缩的速度相比前几代已经放缓。Hensche预计High-NA将在未来数年内持续作为先进节点光刻的主流技术，而Hyper-NA还需要进一步成熟，才能启动产品开发。
业务拓展至先进封装领域
蔡司也将技术能力从前道制造延伸到先进封装工艺检测。其产品包括NLX 3D X射线检测系统，用于研发与在线抽样检测，每小时可完成约50个点位测量。产品线还包含DUNE 100晶圆翘曲矫正设备，该设备已于9月末落地台湾供应链产线。蔡司对先进封装市场的增长前景保持高度乐观。
蔡司SMT北美销售负责人Raghu Nayak直言，公司为ASML供应光学元件的历史“最长”。除了光刻物镜，蔡司还供应检测光学元件，并在过去的十年间持续供应光罩设备。而最新成立的“半导体晶圆厂解决方案”（Semiconductor Fab Solutions）业务，则同时覆盖前道与先进封装的晶圆检测和量测。
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