北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“制造半导体器件的方法”的专利，公开号CN122935270A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，一种制造半导体器件的方法可以包括：准备衬底，所述衬底包括设置有布线层的芯片区和设置有对准图案层的划道区；形成覆盖布线层和对准图案层的绝缘结构；刻蚀绝缘结构，使得对准图案层的上表面完全被暴露；在对准图案层和绝缘结构上沉积重分布材料；以及通过将刻蚀掩模与位于对准图案层与相邻对准图案层之间且至少部分被重分布材料围绕的区域对准，刻蚀重分布材料。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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