对话方正微电子刘韧：IDM模式赋能国产第三代半导体 碳化硅AI数据中心渗透进入增长期

《科创板日报》10月17日讯（记者 曾乐 陈俊清） 2026湾区半导体产业生态博览会（下称：2026湾芯展）期间，深圳方正微电子有限公司（下称：方正微电子）发布SiC DIP32功率模块，首发1200V 35mΩ及1200V 60mΩ两大产品，可匹配车载OBC、智能悬架电控、DC-DC转换器及车载空调等多元功率需求。

作为国内碳化硅IDM模式代表性企业，方正微电子本次新品落地，既是对自身车规级产品矩阵的关键补全，也是行业中压碳化硅迈入“硅平价”阶段、加速向终端市场渗透的缩影。

2026湾芯展期间，方正微电子技术副总裁刘韧接受了《科创板日报》记者专访，围绕公司IDM战略、产能布局、车规与AIDC双赛道进展、行业成本拐点及技术路线演进等核心议题展开深度交流。

图：方正微电子技术副总裁刘韧

在刘韧看来，碳化硅产业正站在规模化渗透的关键节点：电动汽车的渗透从主驱向车载全场景延伸，AI算力爆发驱动数据中心电源架构迭代，两大核心需求叠加工艺成熟与成本下探，正推动碳化硅从“高端选配”走向“普惠级”功率器件。而IDM模式所具备的设计工艺协同、全流程质量控制与快速迭代能力，将成为下半场竞争的核心胜负手。其判断，今年是SiC在AIDC领域应用爆发的元年，未来相关市场将呈指数级增长。

▍DIP32模块落地 完善车规碳化硅全场景矩阵

据刘韧介绍，本次推出的SiC DIP32功率模块，是方正微电子针对车载中小功率场景打造的标准化产品。该系列采用通用DIP32封装设计，支持客户pin-to-pin直接替代，大幅降低导入成本与验证周期。基于公司统一的第三代芯片平台，DIP32模块可快速覆盖650V、750V、1200V、1500V乃至2300V全电压等级，支持根据客户需求进行定制化开发。

图：方正微电子SiC DIP32功率模块展示

刘韧向《科创板日报》记者透露，公司DIP32新品已在头部客户完成验证并拿到批量订单；与此同时，DIP 4in1系列化封装及2300V功率模块，正与客户开展联合设计开发。“目前配套的塑封产线已全面建成，机台配置齐备，产能处于充足状态”。

车规市场是方正微碳化硅业务的核心阵地。据介绍，截至今年4月，方正微电子车规功率芯片累计发货稳居国产厂商前列。可靠性方面，该公司芯片通过AEC-Q101认证，功率模块通过AQG-324认证，目前DIP32产品已完成2000小时可靠性测试，正向3000小时推进。

应用层面，除主驱外，碳化硅器件已渗透至车载OBC、DC-DC、智能悬架以及热管理系统。刘韧表示，车载热管理是重要增量场景，采用热泵循环的空调压缩机系统，在适宜工况下制热COP通常可达3-4，显著高于传统PTC电加热方案（COP≤1）；采用SiC功率器件可进一步降低逆变损耗、提升系统效率和功率密度，已有越来越多客户导入相关方案。

事实上，DIP32只是方正微电子车规产品矩阵的一环。根据该公司产品路标，其车规SiC MOSFET已形成完整的电压与电阻序列，覆盖650V-2300V，7.5mΩ-120mΩ系列导通电阻规格，芯片平台历经G1、G2、G3三代迭代；封装形式涵盖裸片、TO247-4、TO263-7、TSCPAK、QDPAK等形态。

功率模块层面，方正微电子构建了DIP32、TPAK、HPD、HPD mini等完整产品系列，适配从低压小功率到高压大功率的全场景需求，可满足不同级别车型、不同车载系统的差异化设计需求。

当前，AI数据中心成为碳化硅的第二增长极。刘韧透露，公司AIDC相关器件已在多家AI数据中心头部客户完成验证导入，并锁定明年较大份额订单；DIP32系列产品已通过头部客户验证，获得小批量订单。

刘韧分析，AI数据中心供电正从传统“UPS+服务器PSU”架构，向高压直流（HVDC）和固态变压器（SST）等新架构演进。将PSU、BBU外置到机柜侧，采用800V直流母线，即HVDC/Sidecar方案。SST则是固态变压器，用高频电力电子变换替代传统工频变压器，可直接将中压交流变换为800V直流。高压母线能降低电流和线路损耗，但要求功率器件耐压更高。以上两种应用场景正是碳化硅的优势领域。

“当前AI数据中心领域碳化硅渗透率接近20%。”刘韧判断，随着制程改进、良率提升以及衬底外延价格下降，650V与750V电压段碳化硅在部分场景基本实现与硅基器件同价，在机柜级供电等新方案中碳化硅优势显著，预计从今年起将进入指数级增长阶段。

▍IDM模式赋能 构建端到端制造自主可控护城河

碳化硅功率器件的产业特性，决定了IDM是更具长期竞争力的商业模式。刘韧表示，“公司研发团队与Fab厂模组团队深度协同，核心光刻机、高温离子注入机等设备可支撑未来3-5代产品迭代”。

作为国内最早布局碳化硅IDM的企业之一，方正微电子的产业布局有着清晰的演进路径：该公司于2003年从硅基功率器件代工起步，2017年正式向第三代半导体业务转型；2021年深圳市重大产业投资集团入主后，其加速加码碳化硅全产业链投入，现已建成从衬底战略合作、自建外延、芯片设计、晶圆制造、模块封装到终端销售服务的端到端IDM能力，形成了“设计-工艺-制造-封装-服务”的闭环。

刘韧表示，模拟功率器件与逻辑芯片不同，设计与工艺密不可分，只有研发与产线协同才能持续打造有竞争力的工艺平台。“公司积累了丰富的前沿工艺落地经验”。工艺能力上，“公司已掌握栅氧关键工艺技术，且通过电动汽车主驱大规模量产验证。基于统一工艺平台，新产品开发周期大幅缩短。”刘韧如是说。在研发节奏上，刘韧表示，公司执行“预研一代、开发一代、量产一代”的三代产品规划，单步工艺开发同样遵循三代节奏，针对核心性能痛点做专项优化，在提升产品竞争力的同时有效控制研发及制造成本。

产能方面，刘韧给出相关规划：公司预计明年Q2的8寸SiC产能达8000片/月；“今年公司6寸碳化硅晶圆总产能约28万片。全年目标是将8寸产能扩展至10万片，同时利用6寸与8寸机台的兼容性，逐步将部分6寸产能转移至8寸，并对剩余6寸设备进行统一改造，整体产出效率将进一步提升。分产品来看，DIP32系列年产能约80万颗，正处于市场拓展期”。

▍成本拐点临近 8寸产线撬动产业规模化增长

谈及碳化硅量产的核心瓶颈，刘韧称“仍在成本”：一方面是衬底成本，早期8寸碳化硅衬底良率偏低，成本一度达到6寸的2倍以上；另一方面是设备投资，目前业内多数存量6寸设备不具备改造为8寸的能力，8寸产线需要全新的资本开支。

随着产业成熟度提升，6寸衬底外延价格已触底反弹，8寸价格仍处于下行通道。刘韧判断，2026年内8寸与6寸的成本就将迎来交叉点，届时8寸单位成本将正式低于6寸。“公司已提前布局8寸产品开发，做好产能切换准备”。

从成本竞争力来看，其表示，目前公司在650V、750V中压领域的碳化硅器件成本已与硅基器件相当，1200V高压领域则在性能上大幅领先硅基方案，成本控制也优于海外同行。

针对行业“低端产能过剩、高端车规供给不足”的结构性矛盾，刘韧表示，近两年国内厂商技术进步显著，头部车企与工业客户出于供应链安全考虑，开始主动导入国内头部供应商，本土替代进程正加速发展。

目前，全球碳化硅主流技术路线分为平面工艺与沟槽工艺。其中，英飞凌等国际厂商以沟槽工艺为主，其余多数厂商采用平面工艺。

刘韧分析，平面工艺质量控制更稳定，高温特性更优；沟槽工艺则在750V及以下导通性能上有优势。“公司正探索超级结工艺，以解决高压器件导通电阻随耐压陡增的问题，进一步提升高压产品的性价比”。

据刘韧介绍，未来2-3年，公司研发将围绕两大方向：晶圆端，中压产品持续降本，高压领域开发超级结等新工艺，突破传统工艺的性能瓶颈；模块端，基于核心工艺平台快速推出全系列产品，同时顺应车规需求从灌封向塑封升级，提升器件最高结温与输出能力，帮助客户降低系统成本。

赛道布局方面，目前电动汽车占碳化硅总需求的60%-70%，是该公司的核心赛道；AI数据中心则成为第二增长极；与此同时，其在拓展光储充、低空经济等场景。“针对低空经济飞行器对功率模块紧凑化的严苛要求，公司已开展定制化适配开发”。

刘韧表示，碳化硅产业仍处于快速渗透的早期阶段，IDM模式在工艺迭代、质量控制与成本优化上的优势将持续显现。“公司将坚持工艺平台化与产品差异化策略，稳步释放产能，抓住汽车与AI两大核心增长机遇，推动国产碳化硅向高端市场突破”。