北京
来源：市场资讯
（来源：雪比特）
10月16日，长鑫科技公告，预计2026年前三季度营业收入约为人民币2650亿元至2700亿元，较上年同期增加2329.16亿元至2379.16亿元；预计归属于上市公司股东的净利润约为人民币1310亿元至1325亿元，上年同期亏损52.8亿元，同比扭亏为盈。
Q3单季度预计营收1,147–1,197亿元，同比+589%–619%、环比+15%–20%，高于此前环比+10%的预期；归母净利润534–549亿元，环比+1%–4%，归母净利率44.6%–47.9%，环比下降5.2–8.5pct。
公司表示，受AI算力需求增长、DRAM行业景气度提升等因素影响，产品供不应求、价格大幅上涨；公司推进产能建设、产品研发和工艺技术提升，优化运营管理并拓展市场。
公司董事会于2026年10月16日收到董事长朱一明提议回购公司股份的函，拟通过集中竞价交易方式回购，资金总额不低于人民币10亿元（含）、不超过人民币20亿元（含），价格不高于董事会审议通过回购方案决议前30个交易日公司股票交易均价的150%。回购股份拟用于员工股权激励、员工持股计划或减少公司注册资本；相关方案尚需董事会或股东会审议通过。
【外界评价】
归母净利润的环比增速较低，市场认为miss，即低于预期。外界推测近期人员扩招、研发及相关费用增加可能拖累短期利润。
分析师评价：DRAM持续涨价，当前DDR5现货均价约3.79美元/Gb、DDR4约5.23–5.75美元/Gb，TrendForce预计Q4传统DRAM合约价环比再涨10%–15%。考虑涨价向报表传导存在滞后，预计Q4营收环比仍有10%以上增长；DDR涨价有望推动毛利率由Q2的87.6%进一步向90%靠拢，利润弹性有望释放。
【长鑫科技进展】
长鑫科技介绍公司4F² DRAM架构研发取得关键进展，计划于2026年底推出融合4F²架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。为市场首发4F²架构商业化厂商。相同特征尺寸下，4F²存储单元理论面积约为当前主流的6F²架构的2/3，采用公司自研VSG垂直包围沟道晶体管，通过垂直布局缩小晶体管平面占用、增强栅极对沟道的控制。
此前公司G5平台已实现量产，有源区半间距缩小至11.95nm，对标海外1b/1β制程；此次4F²研发进一步推进存储单元架构迭代，与海外先进制程距离进一步拉平。新架构与先进工艺逐步导入产品后，公司产品存储密度、单bit成本和性能有望持续优化。公司同步加大研发和产业化投入，此前拟使用180亿元超募资金投向技术研发及产业化、存储器晶圆后道测试基地二期等项目，持续完善IDM布局。
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