北京
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国家知识产权局信息显示，JCET 星科金朋韩国有限公司申请一项名为“半导体器件以及制作带有高组件和图案化的电子条的双侧模制系统级封装的方法”的专利，公开号CN122935301A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，提供了半导体器件以及制作带有高组件和图案化的电子条的双侧模制系统级封装的方法。半导体器件具有衬底。贯穿衬底而形成开口。绝缘膜被层压到衬底的第一表面上。第一电气组件在开口中被设置在绝缘膜上。第二电气组件被设置在衬底的与第一表面相对的第二表面上。第一密封剂被沉积在第一电气组件和第二电气组件上方。绝缘膜被移除。第三电气组件被设置在衬底的第一表面上方。电子条被设置在衬底的第一表面上。第二密封剂被沉积在第三电气组件和电子条上方。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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