北京
分享至
国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“用于形成氮化硼层的方法和设备”的专利，公开号CN122918528A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，公开了使用电感耦合等离子体(ICP)形成氮化硼层的方法和设备，解决了半导体处理中的挑战，特别是对于高纵横比结构。该方法包括将具有三维结构的衬底引入反应室中并执行多个沉积循环。每个循环包括提供气相的硼前体和由ICP产生的反应性物质。反应物气体可包括氮和氢，其选自氨、氮/氢混合物或肼。硼前体可以是三碘化硼、三溴化硼或类似化合物。该过程旨在通过减少离子轰击、利用高RF功率产生自由基来实现高保形性和膜质量。该方法适用于半导体制造，增强复杂结构中氮化硼层的均匀性和完整性。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
