存储巨头公布下一代存储路线图；三星4F²技术将用于3D DRAM；传英特尔以色列先进晶圆厂发生爆炸

【每日热点速读】

1、SK海力士公布下一代存储路线图

2、消息称三星电子计划将4F²技术应用于3D DRAM

3、传英特尔以色列先进晶圆厂发生爆炸及火灾

4、南亚科技：Q3营业利润同比增长95倍，Q4 DRAM ASP预计续涨

1

SK海力士公布下一代存储路线图

近日，SK海力士正式公布其下一代存储路线图。据韩媒chosun报道，SK海力士开发总负责人、社长安炫日前公开了该司高带宽闪存（HBF）的详细目标规格，以及将DRAM堆叠在逻辑芯片之上的“3D堆叠DRAM”构想，旨在解决AI推理环境中的容量不足与数据瓶颈问题。

AI基础设施爆发式增长，存储瓶颈凸显

安炫指出，随着AI模型成本下降，智能体之间的交互迅速增加，带动Token消耗量大幅上升。基于这一判断，他预计到2030年，AI基础设施规模将较2026年增长约20倍。

他还用具体数据指出了上下文长度扩展带来的存储消耗问题：随着Token规模从100万迈向1亿，会话处理所需的KV缓存容量已突破13TB，数据从HBM、DRAM进一步溢出至SSD的“溢出”现象正在加剧。

两大技术主轴：HBM升级 + 定制化产品

SK海力士提出，将以现有HBM性能升级和定制化产品为两大主轴：

标准规格：继续推进HBM4E和HBM5的开发；

定制化产品：计划在2026年和2027年分别导入在基础裸片中集成客户定制逻辑的CHBM4E和CHBM5，扩大定制化产品占比。

3D堆叠DRAM：极致缩短物理距离

为极致缩短计算单元与存储器之间的物理距离，SK海力士正在研发“3D堆叠DRAM”方案——即在GPU或NPU等处理器正上方垂直堆叠DRAM。该结构可将I/O通道数量较现有HBM提升数十倍，从而提高信号传输速度，并显著降低功耗。

HBF：填补HBM与DRAM之间的存储层级空白

为突破容量瓶颈，SK海力士重点推出基于NAND的HBF（高带宽闪存）。该技术将HBM的TSV（硅通孔）堆叠工艺应用于NAND闪存，目标是在带宽约为同代HBM一半的前提下，将容量提升约10倍，填补HBM与DRAM之间的存储层级空白。

针对业界对NAND速度和可靠性的担忧，安炫以实际AI工作负载数据回应称，AI推理环境中读操作约为写操作的30万倍，并可借助预取技术抵消延迟影响。

SK海力士已与闪迪及主要云服务提供商组成OCP联盟，于今年8月发布0.7版规范。该规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级（Grade 1~3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。SK海力士计划于2027年1月确定最终标准Spec v1.0。

2

消息称三星电子计划将4F²技术应用于3D DRAM

据韩媒报道，三星电子首席技术官（CTO）兼总裁Song Jaehyuk近日确认，三星电子也在开发4F²技术。

三星电子表示，他们已经对 4F² 技术进行了大约五年的研究，内部正将其推进为“垂直通道晶体管 (VCT) DRAM”形式，这种形式将单元结构垂直排列。

据业内人士透露，三星电子计划将4F²技术应用于其下一代3D DRAM和垂直结构工艺节点“D0a”，该项目内部代号为“D0a-V”。

3

传英特尔以色列先进晶圆厂发生爆炸及火灾

据外媒报道，当地时间14日下午2时12分，英特尔位于以色列的先进晶圆厂Fab 38发生爆炸及火灾，造成至少3名工人受伤，其中1人伤势危急。当地警方初步怀疑事故与特殊气体钢瓶有关，可能涉及半导体制程使用的三氟化氮(nitrogen trifluoride)，具体事故原因仍待官方调查确认，不能排除其他因素。

以色列 Fab 38晶圆厂是英特尔规划建设的先进晶圆制造设施，位于以色列基里亚特加特，毗邻现有 Fab 28，项目原规划总投资约 250 亿美元，计划采用 EUV 光刻技术生产先进逻辑芯片，服务于英特尔自身产品及潜在的 Intel Foundry Services（IFS）外部代工客户。早期规划曾将 Intel 18A 与该项目联系起来，也有报道称英特尔将Intel 14A 等更先进制程作为潜在方向。

2024 年，该项目因英特尔调整资本支出及项目建设安排而出现暂停建设，此后整体进度持续放缓。公开资料显示，规划中的两部分洁净室建设进度出现分化，其中一部分厂房主体及公用设施已基本完成，另一部分工程则处于停滞状态。截至 2026 年中期，项目仍处于设备导入前后的建设阶段。

4

南亚科技：Q3营业利润同比增长95倍，Q4 DRAM ASP预计续涨

南亚科技公布2026年第三季度截至9月30日自行结算合并财务报告：营收新台币1,336.49亿元（约合人民币278.26亿元），环比增长61.9%，同比增长611.7%；营业利润1,068.94亿元（约合人民币222.55亿元），环比增长75.7%，同比增长9451.3%，营业利润率达80％；税后净利为新台币876.27亿元（约合人民币182.44亿元），环比增长74.6%，同比增长5505.1%，净利率较上季提高4.8个百分点至65.6%；营业毛利为新台币1,144.82亿元（约合人民币238.35亿元），毛利率较上季提升6.2个百分点至85.7%。所有合并财务数字为自结，尚未经会计师核阅。

南亚科技表示，第三季度DRAM平均售价环比增长超过六十位数百分比，销售量环比减少中个位数百分比。主因部分原有长期供货协议（LTA）6月底到期，7月起改采新合约价格，带动售价明显跳升。

Q4 DRAM ASP预计续涨，2027年拟上调资本支出

展望第四季，南亚科技总经理李培瑛指出，DRAM供给仍相当吃紧，平均售价预期续涨，毛利率亦有机会进一步提高，但各产品涨幅有所差异，实际情况仍须观察。他强调，GPU、TPU、CPU及ASIC等需求，继续推高高容量、高频宽及客制化DRAM需求，但设备交期普遍延长一至六个月，加上设备涨价及新厂建置限制，新增供给仍有限，存储市场供需吃紧情况预期延续。

随着新厂装机，南亚科技预计2027年资本支出将上调。李培瑛表示，目前净现金约2,700亿元新台币，且持续累积，预期可由自有资金支应明年资本支出，无须贷款。

新厂进度目标明确，先进制程按计划推进

一方面，南亚科技林口5A新厂建厂及设备总投资将近4,800亿元新台币，预计2027年第一季度开始装机，年底有少量产能贡献，目标2028年底月投片量达3万片，2030年底提高至5万片。该司规划于屏东科学园区建置3D晶圆封装与测试厂，预计2028年年底前导入硅穿孔（TSV）、晶圆堆叠等3DIC先进技术。

另一方面，其第三代10纳米级制程（1C）预计2027年第一季度开始客户验证，同步开发的第四代（1D）、第五代（1E）制程及EUV，均持续按计划推进。