北京
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国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“增强的电源轨连接”的专利，公开号CN122910700A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，一种半导体结构，该半导体结构具有位于至少两个正面半导体器件之间的电源轨和连接电源轨与背面供电网络的背面金属层的连接器通孔。连接器通孔位于浅隔离沟槽内。连接器通孔具有低于浅隔离沟槽的顶表面的顶表面。连接器通孔提供了在连接到正面半导体器件中的至少一个的电源轨与背面供电网络之间的直接连接。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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