北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“GaN器件的制造方法及所采用的刻蚀设备”的专利，公开号CN122909861A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种GaN器件的制造方法，包括：在衬底上依次形成沟道层-势垒层、栅极层、栅极金属层；在栅极金属层上方进行光刻胶涂布和光刻，形成光刻胶图形；在刻蚀设备的刻蚀腔内以光刻胶为阻挡层对栅极金属层进行刻蚀；在刻蚀设备中集成的去胶腔内去除光刻胶；在刻蚀设备的刻蚀腔内以刻蚀后的栅极金属层为阻挡层对所述栅极层进行刻蚀，形成栅极图形化。本发明将GaN器件刻蚀过程中的去胶和刻蚀集成在同一刻蚀设备中完成，可以有效地解决以光刻胶为阻挡层进行栅极层刻蚀后再去除光刻胶可能造成GaN表面损伤的问题，更重要的是彻底解决了现有制造过程中需要单独配置专门的去胶设备和产线而无法与现有硅基CMOS生产线兼容的问题。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目952次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7993条，此外企业还拥有行政许可444个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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