10月13日,美股存储板块盘前进一步走低,希捷科技(STX.US)跌6.77%,西部数据(WDC.US)跌7.37%,SK海力士(SKHY.US)跌6.26%,镁光ADR跌5.60%,美光科技(MU.US)跌5.01%,闪迪(SNDK.US)跌4.49%。
消息面上,高盛发布研报指出,随着AI推理需求快速增长,存储容量不足正成为制约算力效率的重要瓶颈。高带宽闪存(HBF)等新型NAND技术有望缓解这一“内存墙”问题,并显著降低AI基础设施成本。
该行预计,在GPU采用率达到15%至50%的情况下,HBF潜在市场规模可达400亿至1500亿美元。高盛看好闪迪和SK海力士的HBF技术领先优势,维持两家公司“买入”评级;三星电子同样有望受益。相比之下,美光因业务重心偏向DRAM和HBM,直接受益程度较低,维持“中性”评级。
而值得注意的是,三星电子于当地时间周一在2026年OCP全球峰会上展示了下一代内存与存储技术。会上,三星与AMD共同演示了基于Compute Express Link(CXL)的内存扩展解决方案,并展出了与AI芯片厂商Groq和英伟达相关的产品。三星还展出了定制化HBM和全新的HBM5,以及存算一体技术。
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