北京
国家知识产权局信息显示，四川芯电慧鑫科技有限公司申请一项名为“沟槽型碳化硅高压N型MOSFET及其制备方法”的专利，公开号CN122909879A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽型碳化硅高压N型MOSFET及其制备方法，自下而上依次包括N++碳化硅衬底、N+缓冲层、第三外延层、第二外延层和第一外延层。器件表面形成沟槽栅结构，沟槽依次贯穿第一外延层和第二外延层，并刚刚延伸到第三外延层顶部。沟槽侧壁及底部设置栅氧层，沟槽内部填充多晶硅栅极。于沟槽底部下方设置N型保护网结构。器件表面位于相邻沟槽之间形成N+源区以及P+接触区，所述P+接触区自表面向下延伸并达到第二外延层。该结构能够降低沟槽底部峰值电场，提高器件耐压稳定性，改善源区电流扩展与体区短接效果，并抑制寄生双极效应，适用于高压碳化硅功率器件。
天眼查资料显示，四川芯电慧鑫科技有限公司，成立于2025年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本800万人民币。通过天眼查大数据分析，四川芯电慧鑫科技有限公司专利信息12条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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