北京
【CNMO科技消息】10月13日，三星电子宣布，公司于当地时间12日参加了在美国加州圣何塞开幕的“OCP全球峰会2026”，公开了涵盖下一代高带宽存储器（HBM）、内存扩展技术和存储解决方案的人工智能（AI）基础设施创新战略。三星还与美国超威半导体公司（AMD）共同演示了下一代内存扩展技术，并展示了与英伟达等全球AI企业的合作成果，表明其正将技术合作范围从单纯的内存供应扩展至AI系统整体。
在此次OCP全球峰会上，三星电子公开了三个技术方向：一是包括HBM5、定制HBM在内的高性能内存；二是基于计算快速链接（CXL）的内存扩展技术；三是利用下一代固态硬盘（SSD）的数据存储与管理技术。同时，三星与AMD共同演示了基于CXL的内存扩展解决方案，并展出了Groq LPU晶圆和英伟达Groq 3 LPX系统等，介绍了与全球AI企业的合作成果。
三星电子半导体（DS）部门内存业务部AE团队常务沈浩俊在当天发表演讲时强调：“随着AI模型大型化，推理过程中需要处理的数据和KV缓存容量不断增加，要提高AI系统性能，不仅内存带宽，容量扩展和数据存储管理技术也变得至关重要。”为此，他提出了速度、内存扩展性、数据持久性三大方向的技术战略。
三星
三星电子还表示，公司正超越个别内存产品的性能改善，为优化中央处理器（CPU）、图形处理器（GPU）、内存、存储等AI系统整体，从开发初期就与全球客户及合作伙伴扩大共同设计和技术验证合作。在本次OCP活动上，三星与AMD共同演示了基于CXL的内存扩展解决方案，公开了为灵活扩展AI系统内存容量的技术合作成果。其目标是，在AI智能体扩散导致推理过程数据处理量和内存需求增加的背景下，利用CXL技术弥补现有系统的内存容量限制。尤其是，三星展示了基于CXL内存模块DRAM（CMM-D）的内存池化技术，可高效利用多个系统的内存资源，灵活确保AI环境所需的内存容量。
三星电子表示：“此次共同演示在真实系统环境中与全球计算平台企业验证技术，并扩大合作以改善AI基础设施性能，具有重要意义。”此外，三星在本次活动中运营两个展区。在介绍高性能AI内存技术的“Token化解决方案”展区，展示了HBM4E、HBM5、定制HBM、LPDDR5X-PIM等，以及2纳米环绕栅极（GAA）工艺晶圆、Groq LPU晶圆和英伟达Groq 3 LPX系统。在“KV缓存解决方案”展区，则介绍了通过CXL内存、企业级SSD和KV缓存优化技术，高效存储和管理AI推理过程中产生的大规模数据的方案。
三星电子工厂
三星电子还加强与全球客户的共同设计和技术验证合作。公司通过“三星MAX Lab”在真实AI环境中验证下一代内存和存储技术，并从产品开发初期就反映客户需求。同时，以全球开放生态专责组织GOST为中心，参与开源软件开发和标准化活动，将合作范围从硬件扩展至软件优化。
三星电子今年在英伟达GTC、Computex、FMS等主要全球活动中接连公开了HBM5和zHBM等下一代内存技术，致力于强化AI半导体竞争力。据市场调查机构Counterpoint Research数据，三星电子今年第二和第四季度全球DRAM市场以营收为准占据39%份额，排名第一；同期NAND闪存市场也以29.3%份额保持第一。三星电子表示：“将基于技术力和生产基础，加强HBM、服务器用DDR5、企业级SSD等高附加值AI内存市场攻略。”
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