北京
国家知识产权局信息显示，北京铭镓半导体有限公司申请一项名为“一种β-氧化镓铸造法单晶生长装置及方法”的专利，公开号CN122879809A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种β-氧化镓铸造法单晶生长装置及方法，装置中，下料筒的上端开口外周设有卡台，卡台与炉体上部的开口的外周面卡接。下料管贯穿保温结构上部的穿设口，下料管的上端与下料筒的下端开口连通，下料管的下端与坩埚盖上的进料口连通。料仓筒设于下料筒内。盖板盖设于料仓筒的上端开口处，盖板与下料筒的上端开口外周面卡接。筛网设于料仓筒内，筛网可沿料仓筒的中心线方向往复运动，筛网与料仓筒的内周壁滑动密封设置。振动结构用于使筛网沿料仓筒的中心线方向往复运动。称重传感器设于盖板与下料筒的上端开口外周面之间。料仓盖设于炉体的上侧，料仓盖罩设于开口外。本发明装置能够实现大尺寸低缺陷β-氧化镓单晶生长。
天眼查资料显示，北京铭镓半导体有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2415.695461万人民币。通过天眼查大数据分析，北京铭镓半导体有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息73条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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