北京
国家知识产权局信息显示，深圳市立洋光电子股份有限公司申请一项名为“一种VCSEL芯片结构及其制备方法和VCSEL激光器”的专利，公开号CN122890130A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本公开涉及光电子器件技术领域，提供一种VCSEL芯片结构及其制备方法和VCSEL激光器。VCSEL芯片结构包括衬底、N型布拉格反射镜、有源区、氧化限制以及P型布拉格反射镜有源区包括复合量子阱结构，复合量子阱结构中的多个势阱层具有不同组分和/或厚度，以形成至少两个不同中心波长的增益峰；氧化限制和/或P型布拉格反射镜中设置有亚波长透光孔阵列，亚波长透光孔阵列包括至少两个排布参数不同的透光区域，以形成至少两个不同横向谐振模式；不同横向谐振模式分别与不同中心波长的增益峰对应耦合，使不同中心波长的增益峰能够选择性激发对应横向谐振模式。本公开能够兼顾增益谱拓宽、腔模稳定及光场调控，实现宽温度范围内稳定输出和可控出光模式。
天眼查资料显示，深圳市立洋光电子股份有限公司，成立于2008年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5022.0002万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市立洋光电子股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目125次，财产线索方面有商标信息98条，专利信息197条，此外企业还拥有行政许可16个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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