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国家知识产权局信息显示，合肥国家实验室、太原国科半导体光电研究院有限公司、晋城市光机电产业协调服务中心（晋城市光机电产业研究院）申请一项名为“一种高外延良率的锑化物激光器结构”的专利，公开号CN122890115A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本申请提供了一种高外延良率的锑化物激光器结构，属于锑化物半导体激光器领域；解决了锑化物I型量子阱激光器表面存在的生长纹问题；该激光器结构自底向上依次包括：P+GaSb衬底、P+GaSb缓冲层、P+下限制层、下波导层、有源区、上波导层、N+上限制层和N+GaSb盖层，其中下限制层、下波导层、有源区、上波导层和上限制层采用与GaSb晶格匹配的III‑V族含锑化合物；本申请采用P+GaSb衬底，P+GaSb衬底的掺杂原子为Zn，Zn在晶体中的分布非常均匀，不会形成明显的浓度梯度层，与常规外延相比，本申请结构外延的表面没有同心圆，且粗糙度更小，外延质量更高，均匀性更好，有利于提高良率和激光器性能。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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