上海
《科创板日报》10月10日讯（记者 郭辉） 长鑫科技今日官宣其4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。
长鑫科技总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，介绍了长鑫科技在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术进展，同时宣布，长鑫科技预计将于年底推出融合了上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
长鑫科技总裁曹堪宇宣布长鑫4F² DRAM架构研发取得进展
《科创板日报》记者获悉，目前DRAM行业内主流的架构是6F²架构。6F²是衡量 DRAM存储单元面积的一个核心指标。在DRAM芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。F（最小特征尺寸）代表晶圆制造工艺中光刻技术能实现的最小线宽或间距。
4F²意味着每个单元仅占4倍最小特征尺寸的平方，因此单位面积内的晶体管数量会增多，实现了存储密度的提升。
据曹堪宇介绍，长鑫的4F²架构，最核心的特色是在DRAM存储阵列晶体管上的创新，即自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。VSG晶体管采用了垂直包围沟道结构，能实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，同时竖立的晶体管也助力面积微缩，提升存储密度。
从6F²到4F²的跨越，设计和工艺流程无法完全复用，本质上代表晶体管沟道方向从水平布局向竖立布局的根本性变革，需要整合新一套的工艺流程。因此在研发过程中，长鑫科技对多项核心工艺流程展开了深度技术探索与突破，全面优化涵盖字线金属化、位线成型以及结激活等关键工艺，以实现最优的性能与功耗比。
《科创板日报》记者了解到，长鑫科技自成立以来就启动了4F²的研究和专利布局，公开专利族超300件，数量领先海内外厂商。长鑫在2021年发布了大陆首篇4F²架构相关的论文，并在2023年、2025年的两篇论文中分享了在该架构上的研发进展。
此次演讲未提及长鑫即将推出的DDR5 RDIMM的规格信息和具体发布时间。
不过值得关注的是，DDR5 RDIMM作为服务器市场的主流配置，其应用环境对产品的性能指标、运行稳定性及兼容性提出了极高要求。长鑫将4F²架构的首代产品定为DDR5 RDIMM，将直面服务器内存领域极高的技术与工程壁垒。
《科创板日报》记者注意到，与消费级低功耗内存产品不同，DDR5 RDIMM的技术难度在于，需要支持服务器7×24小时不间断运行，能经受带电热插拔的电压冲击；必须与不同厂商、不同代际的CPU和主板完成数百项严苛的兼容性测试；更要高速传输时，确保信号在较长的模组走线上不衰减、不误码。
今年以来长鑫科技已经累计取得多项技术平台及工艺的开发突破。
长鑫科技9月20日宣布，该公司第五代工艺技术平台正式实现量产，并同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品。G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。通过四重曝光技术，长鑫科技把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。
今年8月，长鑫科技宣布自主研发的最新一代低功耗内存LPDDR6实现量产，并将首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。长鑫LPDDR6芯片性能较上一代 LPDDR5X实现全面跃升，通过架构创新及数据传输优化技术，充分释放数据传输潜力，峰值速率达12800Mbps，芯片最高容量16GB。这也是全球LPDDR6产品首次落地商用，标志着中国存储企业首次在高端内存标准上，打破海外厂商长期垄断产品先发的局面，实现全球首发量产。
9月28日，长鑫科技接连宣布合计达349亿元的研发及扩产项目，其中技术研发项目的规划总投资金额为241亿元，后道测试基地二期项目的规划总投资额为108亿元，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。
长鑫科技表示，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司DRAM芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善 IDM 模式、增强公司的整体竞争力。
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