北京
国家知识产权局信息显示，江苏兑尚半导体科技有限公司申请一项名为“一种碳化硅单晶生长设备”的专利，公开号CN122879817A，申请日期为2026年9月。
专利摘要显示，本发明属于单晶生长技术领域，具体公开了一种碳化硅单晶生长设备，包括防护壳，防护壳上固定有保温层，防护壳腔体的内部分布有坩埚，用于收纳碳化硅多晶粉料，同时对碳化硅多晶粉料加热，坩埚上抵接有盖体，进而对坩埚内部的腔体密封，盖体的底壁固定有安装架，安装架上固定有籽晶片，坩埚的外壁位于防护壳的内部设置有加热结构，加热结构用于对坩埚内部的碳化硅多晶粉料加热。本发明通过连续螺旋给料与正反转切换实现粉料均匀摊平、防粘壁及双向排料控制，配合弹性自适应刮料结构避免部件变形，并结合多区独立加热与排料余热回收预热给料，全面解决了碳化硅单晶生长中粉料分布不均、温场调控不足、余热浪费及部件易损的技术问题。
天眼查资料显示，江苏兑尚半导体科技有限公司，成立于2024年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏兑尚半导体科技有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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