北京
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国家知识产权局信息显示，上海车仪田科技有限公司申请一项名为“一种用于刻蚀终点检测的半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN122882351A，申请日期为2026年9月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体检测技术领域，公开了一种用于刻蚀终点检测的半导体结构及其制备方法，包括：自下而上层叠设置的衬底层、电路层、隔离层、压电层、叉指换能器、下包层、光波导结构、上包层和多个透镜；数字信号处理器控制射频驱动电路产生目标射频频率的射频信号，叉指换能器在射频信号驱动下激发沿压电层传播的声表面波；在声光互作用区，声表面波对全谱光信号产生布拉格衍射光栅，从全谱光信号中筛选出目标波长的光信号，得到的目标光信号通过光电探测器转换为目标数字信号；数字信号处理器还用于根据目标数字信号，确定刻蚀设备的刻蚀工艺是否达到刻蚀终点。本发明可以实现从等离子体光输入到刻蚀终点信号的直接片上处理。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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