北京
ASML和蔡司在一篇10月1日发布的文章里，把下一代光刻机的路线图摊开了。数值孔径≥0.75的Hyper NA EUV，有望支持5nm半间距的光学分辨率，时间点定在10年左右。
这不是凭空跳级。文章把0.75 NA定义为High NA EUV的合理演进——波长还是13.5nm，只是把数值孔径继续往上推。
真正的麻烦在景深
Hyper NA EUV的技术挑战，文章说得很集中：可用景深更低。景深不够，就得配更薄的光刻胶，同时扫描设备的聚焦控制、晶圆平整、工艺控制都得跟着改。
换句话说，光学分辨率上去了，工艺窗口反而更窄。这不是单一环节的升级，是整条链路的重新校准。
为什么停在0.75
文章给了一个很务实的理由：0.75 NA的光学系统只会比现有High NA EUV设备略大一点，洁净室和设备兼容性都不错。
但如果继续扩到0.85 NA，系统体积会大幅增长，吸引力反而下降。所以0.75这个数字，是体积和性能之间算过账的结果。
能复用的部分不少
对晶圆厂来说，好消息是配套改动没那么伤筋动骨：
- 通过光学和机械上的改进，掩膜基础无需重大改动即可在Hyper NA EUV上复用
- 光源系统预计也能实现复用
也就是说，这次升级不是把整套设备推倒重来，而是在既有框架里做加法。对已经押注High NA的厂商，这条路径的迁移成本相对可控。
十年是个不短的时间窗。景深这道坎能不能迈过去，决定了5nm半间距是纸面指标还是量产现实。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
